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2N7002DW

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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  • 说明
  • 操作
  • 2N7002DW _R1 _00001
    2N7002DW _R1 _00001

    2N7002DW _R1 _00001

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • PANJIT

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

  • 2N7002DWH6327XTSA1
    2N7002DWH6327XTSA1

    2N7002DWH6327XTSA1

  • 深圳市瑞斯特电子科技有限公司
    深圳市瑞斯特电子科技有限公司

    联系人:杨锐锋

    电话:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田区华强广场二楼Q2B046

  • 21000

  • INFINEON

  • -
  • 高品质!价格美丽!

  • 2N7002DW
    2N7002DW

    2N7002DW

  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
    深圳市高创鑫电子科技有限公司

    联系人:曾小姐

    电话:0755-2330298015814019597

    地址:深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间

    资质:营业执照

  • 40000

  • Onsemi

  • SC-88-6 / SC-70-6 /

  • 23+

  • -
  • 原装正品现货,假1罚100

  • 2N7002DW
    2N7002DW

    2N7002DW

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 3000

  • FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 2N7002DW-7-F
    2N7002DW-7-F

    2N7002DW-7-F

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人:李小姐

    电话:0755-23895664

    地址:华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 12000

  • DIODES INCORPORATED

  • *

  • 1836

  • -
  • 只做原装正品 现货 价格优势 QQ咨询

  • 2N7002DW
    2N7002DW

    2N7002DW

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4123

  • 长电/长晶

  • SOT-363

  • 2222+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 2N7002DWS-7
    2N7002DWS-7

    2N7002DWS-7

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4901

  • DIODES/美台

  • SOT-363

  • 2211+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 2N7002DW-7-F
    2N7002DW-7-F

    2N7002DW-7-F

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人:韩小姐

    电话:13661385246

    地址:北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室,新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 12000

  • DIODES INCORPORATED

  • SMD

  • 19+

  • -
  • 进口原装公司现货库存

  • 2N7002DW
    2N7002DW

    2N7002DW

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 2976

  • diodes

  • sot-363

  • 10+

  • -
  • 原装现货

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  • 功能描述
  • MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
2N7002DW 技术参数
  • 2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):200mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 2N7002CKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:10,000 2N7002CK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 2N7002BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):275mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):370mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3
配单专家

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