2N7002W全国供应商 2N7002W资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N7002WT1G
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
联系人：杨锐锋
电话：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046
15000
ONSEMI
-
高品质！价格美丽！

2N7002W
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
40000
Onsemi
SC-70-3 / SOT-323-3
23+
-
原装正品现货，假1罚100

2N7002W
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
价格优势
2326
-
全新原装渠道现货

2N7002W-7-F
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
3000
DIODES INCORPORATED
*
1921
-
只做原装正品现货价格优势 QQ咨询

2N7002WT1G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
100000
ON
SOT-323
15+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票.

2N7002W-7-F
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
3000
DIODES INCORPORATED
SMD
19+
-
进口原装公司现货库存

2N7002WT1G
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
1500
ONS
ORIGONAL
16+
-
0.01534 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

2N7002W 技术参数

2N7002V-TP 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:10 2N7002VC-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 2N7002VAC-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:3,000 2N7002VA-7-F 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 2N7002VA-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 2N7051_D10Z 2N7052 2N7052_D74Z 2N7053 2N7053_D26Z 2N7053_D74Z 2N7053_D75Z 2N706 2N708 2N720A 2N7224 2N7224U 2N7225 2N7225U 2N7227 2N7227U 2N7228 2N7228U