您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 > 2字母第2149页 >

2SD1980TL

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
2SD1980TL PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 达林顿晶体管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶体管极性
  • NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 最大直流电集电极电流
  • 0.5 A
  • 最大集电极截止电流
  • 功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-18
  • 封装
  • Reel
2SD1980TL 技术参数
  • 2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):500 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):500 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SD1963T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1963T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1949T106R 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S
配单专家

在采购2SD1980TL进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SD1980TL产品风险,建议您在购买2SD1980TL相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SD1980TL信息由会员自行提供,2SD1980TL内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号