5LN01SS-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

5LN01SS-TL-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi
SC-81
2025+
-

5LN01SS-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ONSemicon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

5LN01SS-TL-E
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
8000
ON
16+
-

5LN01SS-TL-E
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
3500
ON
专营进口连接器
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

5LN01SS-TL-E
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
国内授权代理分销

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1

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功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

5LN01SS-TL-E 技术参数

5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:1 5LN01SP 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 5LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:1 5LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5LN01C-TB-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 5LP01SS-TL-E 5LP01SS-TL-H 5LP01S-TL-E 5LPCV24110 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT