5LP01C

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

5LP01C-TB-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
41690
SANYO
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

5LP01C
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ON
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

5LP01C
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
50000
ON
SOT-23
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

5LP01C-TB
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
16427
SANYO
SOT23
1301+
-
原装现货/特价

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

5LP01C 技术参数

5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:1 5LN01SP 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 5LP01S-TL-E 5LPCV24110 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3