5LP01S-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

5LP01S-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
72540
SANYO
SMCP
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

5LP01S-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SMCP
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

5LP01S-TL-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi
SC-75
2025+
-

1/1页 40条/页共10条
1

您是不是要找： 5LPCV24110 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT

5LP01S-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

5LP01S-TL-E PDF下载

功能描述
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

5LP01S-TL-E 技术参数

5LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 5LP01M-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:要求报价 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B 5M1220B-2 5M1220B-3 5M1220BCT