6AM15

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

6AM15
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
50
HITACHI
ZIP
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

6AM15
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8755
zip15
12+
-
绝对公司原装现货

6AM15
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
HITACHI
18+
-
原装现货，优势供应

6AM15
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
HIT
SIL-12
18+
-
原装正品，欢迎订购

1/1页 40条/页共19条
1

您是不是要找： 6AM-6PA 6AQ150KEBSA 6AT1 6AT10 6AT102 6AT10-T 6AT124-T 6AT13 6AT13-T2

6AM15 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

6AM15 PDF下载

制造商
HITACHI
制造商全称
Hitachi Semiconductor
功能描述
Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching

6AM15 技术参数

6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7