71V416S12PHG/3211, 4MBIT SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3.3V 256K X - Rail/Tube
制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
IDT 71V416S12PHG/3211, 4MBit SRAM Chip Async Single 3.3V 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II Tube/Tray
71V416S12PHG/3211 技术参数
71V416S12PHG功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V416S12BEI8功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V416S12BEI功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V416S12BEG8功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V416S12BEG功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V416S15BEG71V416S15BEG871V416S15BEGI71V416S15BEGI871V416S15BEI71V416S15BEI871V416S15PHG71V416S15PHG871V416S15PHGI71V416S15PHGI871V416S15YG71V416S15YG871V416S15YGI71V416S15YGI871V416YS10PHG71V416YS15PHG71V424L10PHG71V424L10PHG8
