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7447471151 技术参数
  • 7447471104 功能描述:100mH Shielded Wirewound Inductor 50mA 140 Ohm Max Radial 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TIS 包装:托盘 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100mH 容差:±10% 额定电流:50mA 电流 - 饱和值:50mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):140 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:90kHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.433" 直径(11.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.453"(11.50mm) 标准包装:110 7447471102 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 600mA 1.5 Ohm Max Radial 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TIS 包装:托盘 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:600mA 电流 - 饱和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):1.5 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:1.1MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.433" 直径(11.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.453"(11.50mm) 标准包装:110 7447471101 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 190 mOhm Max Radial 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TIS 包装:托盘 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):190 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:3.9MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.433" 直径(11.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.453"(11.50mm) 标准包装:50 7447471100 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 5.1A 22 mOhm Max Radial 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TIS 包装:托盘 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:5.1A 电流 - 饱和值:4.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):22 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:40MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.433" 直径(11.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.453"(11.50mm) 标准包装:110 7447471068 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 6.4A 13.9 mOhm Max Radial 制造商:wurth electronics inc 系列:WE-TIS 包装:托盘 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:6.4A 电流 - 饱和值:5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):13.9 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:42MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:0.433" 直径(11.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.453"(11.50mm) 标准包装:110 7447471473 7447471682 7447480101 7447480102 7447480151 7447480152 7447480221 7447480331 7447480471 7447480681 744750230030 744750230047 744750230068 744750230100 744750230150 744750340047 744750340150 744750420047
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