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94211AFT

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • Integrated Device Technol

  • IC 150 MHz, PROC SPE

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94211AFT 技术参数
  • 94-2113 功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):116A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3290pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 94-2110 功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):162A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 95A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7360pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 9421-0003 功能描述:TECHNICAL SUPPORT - REMOTE MANAG 制造商:digi international 系列:- 零件状态:在售 类型:技术支持 应用:- 版本:- 许可长度:- 许可 - 用户明细:- 操作系统:- 配套使用产品/相关产品:- 媒体分发类型:- 标准包装:1 9421-0001 功能描述:TECHNICAL SUPPORT - TELEPHONE - 制造商:digi international 系列:- 零件状态:在售 类型:技术支持 应用:- 版本:- 许可长度:- 许可 - 用户明细:- 操作系统:- 配套使用产品/相关产品:- 媒体分发类型:- 标准包装:1 9421-0000 功能描述:TECHNICAL SUPPORT - TELEPHONE - 制造商:digi international 系列:- 零件状态:在售 类型:技术支持 应用:- 版本:- 许可长度:- 许可 - 用户明细:- 操作系统:- 配套使用产品/相关产品:- 媒体分发类型:- 标准包装:1 9422 010100 94220 94221 94-221 94-2214 94222 94223 94224 94225 94226 94227AFLF 94227AFLFT 9423 9423 060100 9423 0601000 9423 060500 9423 0605000 9423 060U500
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