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A2T23H300-24SR6.

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A2T23H300-24SR6. 技术参数

A2T23H300-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 750mA 2.3GHz 14.9dB 66W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.3GHz 增益:14.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA 功率 - 输出:66W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:1 A2T23H200W23SR6 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:2.3GHz ~ 2.4GHz 增益:15.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:51W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:ACP-1230S-4L2S 供应商器件封装:ACP-1230S-4L2S 标准包装:150 A2T23H160-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 350mA 2.3GHz 17.7dB 28W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.3GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:28W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-4L2L 供应商器件封装:NI-780S-4L2L 标准包装:250 A2T21S260W12NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:17.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.6A 功率 - 输出:218W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-880X-2L2L 供应商器件封装:OM-880X-2L2L 标准包装:250 A2T21S260-12SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.17GHz 18.7dB 65W NI-780-2S2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.17GHz 增益:18.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A 功率 - 输出:65W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780-2S2L 供应商器件封装:NI-780-2S2L 标准包装:250 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407 A30110407MP A301105