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ALD210808PCL

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ALD210808PCL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ADVANCED
1521+
-
全新原装现货

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制造商
Advanced Linear Devices Inc
功能描述
MOSFET N-CH 10V 70MA 16PDIP

ALD210808PCL 技术参数

ALD210808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210808APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210802SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD212904PAL ALD212904SAL ALD212908APAL ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL ALD2301SAL