AO4862E

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说明
操作

AO4862E
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TY/台灣半導体
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

AO4862E
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
34500
AOS/万代
SO-8
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AO4862E
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 30V 4.5A 8SOIC
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
46 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
215pF @ 15V
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
标准包装
3,000

AO4862E 技术参数

AO4862 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4854L_102 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4854 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4852 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4932 AO4946 AO4952 AO5401E AO5404E AO5404E_001 AO5404EL AO5600E AO5800E AO5803E AO5804E AO5804EL AO6085N03 AO6400 AO6401A AO6402A AO6402L AO6403