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AOD520 MOS(场效应管)

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AOD520 MOS(场效应管) 技术参数
  • AOD520 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AOD518_051 功能描述:MOSFET N-CH TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:上次购买时间 标准包装:2,500 AOD518_050 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),54A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD518 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),54A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD516_051 功能描述:MOSFET N-CH TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:2,500 AOD5N40 AOD5N50 AOD5N50M AOD5T40P AOD5T40P_101 AOD603A AOD604 AOD606 AOD607 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65
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