AOD5B65M1全国供应商【买卖IC网】AOD5B65M1资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOD5B65M1
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
50000
AOS/万代
TO-252
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AOD5B65M1
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
2500
AOS
TO252
1811+
-
进口原装

AOD5B65M1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

AOD5B65M1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AOD5B65M1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AOD5B65M1
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2500
AOS
N/A
N/A
-
起订量3个，品牌专员咨询热线139113...

AOD5B65M1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

AOD5B65M1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
11600
ALPHA & O
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

AOD5B65M1
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
19
AOS/万代
TO252
18+
-
1万平智能恒温仓库

AOD5B65M1
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DPAK(TO-252)
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AOD5B65M1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4816
AOS
TO-252
2219+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AOD5B65M1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4962
AOS
SOT252
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
IGBT 650V 5A TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
15A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
1.98V @ 15V，5A
功率 - 最大值
69W
开关能量
80μJ（开），70μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
14nC
25°C 时 Td（开/关）值
8.5ns/106ns
测试条件
400V，5A，60 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
195ns
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252
标准包装
1

AOD5B65M1 技术参数

AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:54.4W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），50A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 AOD526_DELTA 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD526 功能描述:MOSFET N-CH TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD607 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930