AOE6932

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说明
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AOE6932
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
8563
AOS/万代
DFN5X6
2022
-
全新原装现货支持BOM表配单

AOE6932
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN5x6E
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
55A (Tc), 85A (Tc)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5 毫欧 @ 20A, 10V, 1.4 毫欧 @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA，1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
功率 - 最大值
24W, 52W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
标准包装
3,000

AOE6932 技术参数

AOE6930 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A, 10V, 0.83 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AOE6922 功能描述:MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售标准包装:3,000 AOD9T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6.6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:860 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1160pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD9N40 功能描述:MOSFET N CH 400V 8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:760pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOI206_002 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146