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AON3613

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

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    资质:营业执照

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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

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  • AON3613
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    AON3613

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • AO/万代

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A T/R
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET P/N-CH 30V 4.5A 8DFN
AON3613 技术参数
  • AON3611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A,6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W,2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3) 标准包装:1 AON3419 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1040pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3) 标准包装:3,000 AON3414 功能描述:MOSFET NCH 30V 10.5A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3) 标准包装:1 AON3402 功能描述:MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 12A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 10V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3) 标准包装:3,000 AON2880 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A DFN2X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21.5 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON4407L AON4407L_002 AON4407L_003 AON4420 AON4421 AON4421_001 AON4605 AON4605_001 AON4605_002 AON4703 AON4705L AON4803 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B
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