AON3818

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON3818
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
30000
AOS
DFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON3818
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
5000
AOS
DFN3x3
1727+
-
进口原装

AON3818
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50
AOS
DFN3X3
15+
-
全新原装现货

AON3818
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AON3818
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5136
AOS
DFN3-3
2223+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET 2N-CH 24V 8A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
13.5 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
840pF @ 12V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
8-DFN（2.9x2.3）
标准包装
3,000

AON3818 技术参数

AON3816_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON3816 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（2.9x2.3）标准包装:1 AON3814 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（2.9x2.3）标准包装:3,000 AON3810 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（2.9x2.3）标准包装:1 AON3806 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 6.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（2.9x2.3）标准包装:1 AON4605 AON4605_001 AON4605_002 AON4703 AON4705L AON4803 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144