AON4413

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说明
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AON4413
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
AOS/万代
DFN
23+
-
全新原装正品现货热卖

AON4413
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN2x3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AON4413 技术参数

AON4407L_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON4407L_002 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON4407L 功能描述:MOSFET P-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2100pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9.5A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（3x2）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON4407_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON4407 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L