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AON5802ALS

配单专家企业名单
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  • AON5802ALS
    AON5802ALS

    AON5802ALS

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 17694

  • AOS

  • DFN2x5

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • AON5802ALS
    AON5802ALS

    AON5802ALS

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • AOS

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • AON5802ALS
    AON5802ALS

    AON5802ALS

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 11185

  • ALPHA

  • MSOP6

  • 11+

  • -
  • 原装现货/特价

  • AON5802ALS
    AON5802ALS

    AON5802ALS

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • MSOP6

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装特价现货!

  • AON5802ALS
    AON5802ALS

    AON5802ALS

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • 1/1页 40条/页 共19条 
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DUAL DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 停產
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-SMD,扁平引线裸焊盘
  • 供应商器件封装
  • 6-DFN-EP(2x5)
  • 标准包装
  • 3,000
AON5802ALS 技术参数
  • AON5802A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 7.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1115pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:1 AON4807_101 功能描述:MOSFET P-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON4807_001 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:1 AON4807 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON4803 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242
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