AON6912A全国供应商【买卖IC网】AON6912A资料|PDF Datasheet|价格

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价格
说明
操作

AON6912A
现货
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
AOS
DFN5X6
21+
-
原装正品徦一罚十

AON6912ALS
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
ALPHA&OME
DFN
23+
-
全新原装正品现货热卖

AON6912A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ALPHA
QFN8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6912ALS
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1115
ALPHA
1151+
-
原装现货/特价

AON6912A
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
AOS
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

AON6912A
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Alpha & Omega Semiconduct
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSF 2N-CH 30V 10A/13.8A DFN5X6B
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
-
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

AON6912A 技术参数

AON6910A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.1A，16A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 9.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W，2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6908A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A，17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.9 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1110pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W, 2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6906A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.1A，10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.4 毫欧 @ 9.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W，2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6884L_002 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 8DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 20V 功率 - 最大值:21W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6884L 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:初步 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 20V 功率 - 最大值:21W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6932 AON6932A AON6934 AON6934A AON6936 AON6938 AON6946 AON6970 AON6970_001 AON6970_002 AON6971 AON6973A AON6974 AON6974A AON6978 AON6980 AON6992 AON6994