AON7140全国供应商【买卖IC网】AON7140资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON7140
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
6000
AOS/万代
DFN3.3x3.3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON7140
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
30
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AON7140
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
30
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AON7140
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
3380
AOS/万代
DFN-8
23+
-
3380

AON7140
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN33
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AON7140
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3306
AOS
DFN3X3
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3350pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.3 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
标准包装
3,000

AON7140 技术参数

AON6998 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A，26A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）标准包装:1 AON6996 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A，60A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6994 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A，26A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）标准包装:1 AON6992 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A，31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）标准包装:1 AON6980 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A，27A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:3.5W，4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON7230 AON7232 AON7240 AON7242 AON7244 AON7246 AON7246_101 AON7246E AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A