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AOTF10B60D2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AOTF10B60D2
    AOTF10B60D2

    AOTF10B60D2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • AOTF10B60D2
    AOTF10B60D2

    AOTF10B60D2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

    电话:18898761413

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • TO220F

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
AOTF10B60D2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 600V 10A TO-220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • Alpha IGBT??
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 600V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 23A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
  • 20A
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 1.8V @ 15V, 5A
  • 功率 - 最大值
  • 31.2W
  • 开关能量
  • 140μJ(开),40μJ(关)
  • 输入类型
  • 标准
  • 栅极电荷
  • 9.4nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值
  • 12ns/83ns
  • 测试条件
  • 400V,5A,60 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr)
  • 98ns
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装
  • TO-220F
  • 标准包装
  • 50
AOTF10B60D2 技术参数
  • AOTF10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V,10A 功率 - 最大值:42W 开关能量:260μJ(开),70μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:17.4nC 25°C 时 Td(开/关)值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):105ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOT9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:236W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT9N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):760pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AOT8N80L_001 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.63 欧姆 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1650pF @ 25V 功率 - 最大值:245W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L
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