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AOTF20B65M2

配单专家企业名单
  • 型号
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  • AOTF20B65M2
    AOTF20B65M2

    AOTF20B65M2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • AOTF20B65M2
    AOTF20B65M2

    AOTF20B65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品进口现货 电话010-62104...

  • AOTF20B65M2
    AOTF20B65M2

    AOTF20B65M2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

    电话:18898761413

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • TO220F

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共10条 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 650V 20A TO220
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • Alpha IGBT??
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • IGBT 类型
  • -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 40A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
  • 60A
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.15V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值
  • 45W
  • 开关能量
  • 580μJ(开),280μJ(关)
  • 输入类型
  • 标准
  • 栅极电荷
  • 46nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值
  • 26ns/123ns
  • 测试条件
  • 400V,20A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr)
  • 292ns
  • 封装/外壳
  • TO-220-3
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • TO-220
  • 标准包装
  • 1,000
AOTF20B65M2 技术参数
  • AOTF20B65M1 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.15V @ 15V,20A 功率 - 最大值:45W 开关能量:470μJ(开),270μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/122ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):322ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF190A60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1,000 AOTF18N65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF18N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):370 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2297pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF22N50 AOTF22N50L AOTF240L AOTF256L AOTF25S65 AOTF2606L AOTF260L AOTF2610L AOTF2618L AOTF262L AOTF266L AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L AOTF2910L AOTF2916L AOTF2918L
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