配单专家企业名单

型号
供应商
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封装
批号
价格
说明
操作

AOTF2918L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

AOTF2918L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50008
YXYBDT台湾
TO-220F
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

AOTF2918
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
AOS万代
TO-220F-3
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

AOTF2918
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
AO/万代
TO-220F
22+
-
十年配单，只做原装

AOTF2918L
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
AOS
标准封装
N/A
-
优势物料

AOTF2918L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
48000
AOS
TO-220F
13+
-
全新原装现货

AOTF2918
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
TO-220F
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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AOTF2918 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOTF2918 技术参数

AOTF2916L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2910L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF290L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 72A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:126nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7180pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:50 AOTF288L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta），43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF286L 功能描述:MOSFET NCH 80V 56A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A(Ta), 56A(Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3142pF @ 40V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF3N80 AOTF3N90 AOTF404 AOTF409 AOTF4126 AOTF4185 AOTF42S60L AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1