APL5155BI

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APL5155BI-TRG
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APL5155BI 技术参数

APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 29A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 26A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APL502B2G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 29A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APL3-24701-7 功能描述:CIRCUIT BRKR MAG-HYDR LEVER 制造商:sensata technologies/airpax 系列:- 零件状态:过期标准包装:1 APL3015ZGCK-F01 功能描述:LED GREEN CLEAR SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售颜色:绿色配置:独立式透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:700mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带平顶电压 - 正向（Vf）（典型值）:3.3V 电流 - 测试:20mA 视角:70° 安装类型:表面贴装波长 - 主:525nm 波长 - 峰值:515nm 特性:- 封装/外壳:1206（3014 公制）供应商器件封装:2-SMD 大小/尺寸:3.00mm 长 x 1.50mm 宽高度（最大值）:1.60mm 标准包装:1 APLID400 APLID410 APLIT405 APLIT415 APLKJIC APLKJIC6SS APLPT400 APLPT410 APLPT500 APLPT510 APLPV400 APLPV401 APLPV410 APLPV411 APLR0600 APLR0610 APLR0630 APLRI600