APT11F80S

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT11F80S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-268
25+
-
国产品牌，替代进口

APT11F80S
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
100134
Microsemi Corporation
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT11F80S
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
4810
Microchip / Microsemi
D3PAK-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

APT11F80S 技术参数

APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1700V 电流 - 平均整流（Io）:23A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1700V 不同?Vr，F 时的电容:1120pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）:43A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:630pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:300pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY