APT15GT60KRG

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说明
操作

APT15GT60KRG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原装100%正品保证质量

APT15GT60KRG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原装100%正品保证质量

APT15GT60KRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 600V 42A 184W TO220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT15GT60KRG 技术参数

APT15GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 42A 184W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，15A 功率 - 最大值:184W 开关能量:150μJ（开），215μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:6ns/105ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GT60BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 600V 42A 184W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，15A 功率 - 最大值:184W 开关能量:150μJ（开），215μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:6ns/105ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GT120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:585μJ（开），260μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:105nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/85ns 测试条件:800V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GT120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:585μJ（开），260μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:105nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/85ns 测试条件:800V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP90KG 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:43A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:200μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/33ns 测试条件:600V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK APT1608SECK/J3-PRV APT1608SECK/J4-PRV APT1608SF4C-PRV APT1608SGC APT1608SRCPRV APT1608SURCK APT1608SYCK APT1608SYCK/J3-PRV