APT20GT60KRG

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说明
操作

APT20GT60KRG
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
APT
TO-220
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT20GT60KRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT20GT60KRG
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
250
APT
TO-220
1121
-
真芯合作锐意进取

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功能描述
IGBT 600V 43A 174W TO220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT20GT60KRG 技术参数

APT20GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:43A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:174W 开关能量:215μJ（开），245μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/80ns 测试条件:400V，20A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GT60BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:43A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:174W 开关能量:215μJ（开），245μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/80ns 测试条件:400V，20A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 开关能量:230μJ（开），580μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/140ns 测试条件:400V，20A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 开关能量:230μJ（开），580μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/140ns 测试条件:400V，20A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 开关能量:2.7mJ 输入类型:标准栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/105ns 测试条件:- 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L