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说明
操作

APT20M36BFLL
优势
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
19875
APT/ MICROSEMI
TO-247
2024+
-
代理原装现货假一赔十

APT20M36BFLL
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

APT20M36BFLL
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
APTMICROSEMI
TO-247..
24+
-
全新原装正品现货热卖

APT20M36BFLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT20M36BFLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

APT20M36BFLL 技术参数

APT20M22LVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:435nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10200pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT20M22LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:435nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10200pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT20M22JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 48.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8500pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT20M22JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 48.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8500pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT20M22B2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:435nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10200pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2

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