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APT25GP120BDQ1

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

    现货
  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 6445

  • MICROSEMI

  • Standard

  • 2024+

  • -
  • 顶级代理现货原装假一赔十

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1583

  • MICROSEMI

  • 2014+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-247B

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • TO3P

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • APT25GP120BDQ1
    APT25GP120BDQ1

    APT25GP120BDQ1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-247

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9000

  • ON

  • SOP

  • 19+

  • -
  • 全新原装正品现货,QQ:15305808...

  • APT25GP120BDQ1
    APT25GP120BDQ1

    APT25GP120BDQ1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • TO-3P

  • 02+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APT25GP120BDQ1GMI
    APT25GP120BDQ1GMI

    APT25GP120BDQ1GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • 模块

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • APT25GP120BDQ1
    APT25GP120BDQ1

    APT25GP120BDQ1

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-247 [B]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT25GP120BDQ1G
    APT25GP120BDQ1G

    APT25GP120BDQ1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS 7 IGBT
APT25GP120BDQ1 技术参数
  • APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:- 输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:22ns/280ns 测试条件:800V,25A,1 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:22ns/280ns 测试条件:800V,25A,1 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:22ns/280ns 测试条件:800V,25A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT25GLQ120JCU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:170W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):625W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2
配单专家

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