配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT28GA60BD15
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
microsemi
22+
-
行业低价，代理渠道

APT28GA60BD15
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT28GA60BD15MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APT28GA60BD15
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
194
microsemi
dc10
-
公司现货!只做原装!

APT28GA60BD15
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
microsemi
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

APT28GA60BD15
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 600V 50A 222W TO247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
-
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT28GA60BD15 技术参数

APT28F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5575pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 14A、 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT28F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5575pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT27ZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 APT27HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 基本零件编号:APT27 标准包装:1 APT27GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):79A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，14A 功率 - 最大值:223W 开关能量:413μJ（开），287μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 测试条件:600V，14A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J APT2X101DQ100J APT2X101DQ120J APT2X101DQ60J APT2X101S20J APT2X150DL60J APT2X151DL60J

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