APT30M36B2LLG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT30M36B2LLG
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
MICROSE
T-MAX.3
22+
-
全新原装现货供应

APT30M36B2LLG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT30M36B2LLG
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1073
MICROSE
T-MAX.3
1130+RO
-
原装现货/特价

APT30M36B2LLG
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4832
MICROSEMI
T-MAX
2223+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube

APT30M36B2LLG 技术参数

APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ（开），600μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ（开），600μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:80μJ（开），605μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK