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APT31N60SCSG

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  • APT31N60SCSG
    APT31N60SCSG

    APT31N60SCSG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT31N60SCSG
    APT31N60SCSG

    APT31N60SCSG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Super Junction MOSFET
APT31N60SCSG 技术参数
  • APT31N60BCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3055pF @ 25V 功率 - 最大值:255W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT31M100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):46A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:945pF @ 1V, 1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):99A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:2100pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK APT32F120J APT32M80J APT33GF120B2RDQ2G APT33GF120BRG
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