APT40GP60SG全国供应商 APT40GP60SG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APT40GP60SG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
87913
Microsemi Corporation
TO-268-3, D鲁Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT40GP60SG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
94763
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT40GP60SG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APT40GP60SG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APT40GP60SG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APT40GP60SG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
POWER MOS 7®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT40GP60SG 技术参数

APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.61nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），352μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），350μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT40GLQ120JCU2 功能描述:POWER MOD 1200V 80A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40GL120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 65A 220W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.95nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B

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