APT40GR120B2SCD10全国供应商 APT40GR120B2SCD10资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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批号
价格
说明
操作

APT40GR120B2SCD10
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
MICROSEMI
原厂原装
1708+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

APT40GR120B2SCD10
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
75
MICROSEMI
2014+
-
公司现货!只做原装!

APT40GR120B2SCD10
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247,T-Max
25+
-
国产品牌，替代进口

APT40GR120B2SCD10
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT40GR120B2SCD10
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
Microsemi/美高森美
TO247
22+
-
十年配单，只做原装

APT40GR120B2SCD10
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Microsemi
TO247
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT40GR120B2SCD10
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

APT40GR120B2SCD10
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
155
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 88A 500W TO247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APT40GR120B2SCD10 技术参数

APT40GR120B2D30 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:88A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1.38mJ（开），906μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 测试条件:600V，40A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:1 APT40GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:88A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1.38mJ（开），906μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:210nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/163ns 测试条件:600V，40A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:1 APT40GP90JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP90J 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:68A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:825μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/75ns 测试条件:600V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30