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APT45M75JN

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  • APT45M75JN
    APT45M75JN

    APT45M75JN

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • APT

  • MODULE

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • APT45M75JN
    APT45M75JN

    APT45M75JN

  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • 原厂原装

  • 23+

  • -
  • 只做原装正品

  • APT45M75JN
    APT45M75JN

    APT45M75JN

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • MODULE

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • APT45M75JN
    APT45M75JN

    APT45M75JN

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M

    资质:营业执照

  • 26550

  • APT

  • 正品封装

  • 23+

  • -
  • 正规商现货供应

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  • 1
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APT45M75JN 技术参数
  • APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ(开),580μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN
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