APT47F60J全国供应商 APT47F60J资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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价格
说明
操作

APT47F60J
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT47F60J
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯专营优势产品

APT47F60J
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT47F60J
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

APT47F60J
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
POWER MOS 8™
标准包装
10
系列
*

APT47F60J 技术参数

APT46GA90JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/100ns 测试条件:433V，45A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG

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