APT5010LLC

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT5010LLC
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13544
APT
直插/贴片
2025+
-
保证原装现货

APT5010LLCX
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
95
APT
TO-264
假一赔十！
-
绝对原装现货！

APT5010LLC
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT5010LLC
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
APT
模块
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT5010LLC 技术参数

APT5010LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT5010JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 22A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5010JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 22A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:312nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7410pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5010JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:378W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5010JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 25V 功率 - 最大值:378W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G