APTGF330DA60D3G

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说明
操作

APTGF330DA60D3G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Microsemi-PPG
模块
09+
-
全新原装100%正品保证质量

APTGF330DA60D3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF330DA60D3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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功能描述
IGBT 600V 460A 1400W D3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF330DA60D3G 技术参数

APTGF330A60D3G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 520A 1560W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:520A 功率 - 最大值:1560W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:18nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGF30X60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 42A 140W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.35nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF30TL601G 功能描述:IGBT Module NPT Three Level Inverter 600V 42A 140W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.35nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF30H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 42A 140W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.35nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF30H60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 42A 140W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.35nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF50A120TG APTGF50A60T1G APTGF50DA120T1G APTGF50DA120TG APTGF50DDA120T3G APTGF50DDA60T3G APTGF50DH120T3G APTGF50DH120TG APTGF50DH60T1G APTGF50DH60TG APTGF50DSK120T3G APTGF50DSK60T3G APTGF50DU120TG APTGF50H120TG APTGF50H60T1G APTGF50H60T2G APTGF50H60T3G APTGF50SK120T1G