APTGF75DSK120T

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF75DSK120T
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
N93X40-12L
25+
-
国产品牌，替代进口

APTGF75DSK120TG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯专营优势产品

APTGF75DSK120T
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APTGF75DSK120TG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module

APTGF75DSK120T 技术参数

APTGF75DH120TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 100A 500W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF75DDA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 100A 500W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF75DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 100A 355W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF75DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 100A 500W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF660U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 860A 2800W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:860A 功率 - 最大值:2800W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，800A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:36nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGF90DH60T3G APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG APTGFQ25H120T2G APTGL120TA120TPG APTGL120TDU120TPG APTGL180A1202G APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G