APTGT300H60G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT300H60G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTGT300H60G
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APTGT300H60G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTGT300H60G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT300H60G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

1/1页 40条/页共11条
1

您是不是要找： APTGT300SK120D3G APTGT300SK120G APTGT300SK170D3G APTGT300SK170G APTGT300SK60D3G APTGT300SK60G APTGT300TL60G APTGT300TL65G APTGT30A170D1G

APTGT300H60G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGT300H60G PDF下载

功能描述
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT300H60G 技术参数

APTGT300DU60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT300DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1660W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:26.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT300DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 420A 1380W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:420A 功率 - 最大值:1380W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:21nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT300DH60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT300DA60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT30A170T1G APTGT30A60T1G APTGT30DA170D1G APTGT30DA170T1G APTGT30DDA60T3G APTGT30DSK60T3G APTGT30H170T3G APTGT30H60T1G APTGT30H60T3G APTGT30SK170D1G APTGT30SK170T1G APTGT30TL601G APTGT30TL60T3G APTGT30X60T3G APTGT35A120D1G APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G