APTM10AM02FG全国供应商 APTM10AM02FG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM10AM02FG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SP6
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APTM10AM02FG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTM10AM02FG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
APT
MODULE
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

APTM10AM02FG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APTM10AM02FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM10AM02FG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
55
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTM10AM02FG
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原装正品

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G

APTM10AM02FG PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTM10AM02FG PDF下载

功能描述
PWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM10AM02FG 技术参数

APTM100UM65SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1068nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3250W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP6 封装/外壳:模块标准包装:1 APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM65DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:129A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 64.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1116nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:215A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 107.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购APTM10AM02FG进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买APTM10AM02FG产品风险，建议您在购买APTM10AM02FG相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的APTM10AM02FG信息由会员自行提供，APTM10AM02FG内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

APTM10AM02FG

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式