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AT-32063-TR1

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  • AT-32063-TR1
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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
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  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

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    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

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  • AT-32063-TR1
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  • 北京杰创宏达电子有限公司
    北京杰创宏达电子有限公司

    联系人:沈小姐/伊小姐/张先生

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • AT-32063-TR1(II)
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  • 北京首天伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

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  • 原厂封装

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  • AT-32063-TR1
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
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    联系人:李先生

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    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
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    联系人:胡庆伟

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    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

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AT-32063-TR1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
  • -
  • 产品变化通告
  • Product Discontinuation 17/Dec/2010
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 4.7V
  • 频率 - 转换
  • 47GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)
  • 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
  • 增益
  • 9dB ~ 31dB
  • 功率 - 最大
  • 160mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 160 @ 25mA,3V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 45mA
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 4-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装
  • 4-TSFP
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • BFP 740FESD E6327DKR
AT-32063-TR1 技术参数
  • AT-32063-BLKG 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 5.5V 32mA 150mW Surface Mount SOT-363 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz 增益:12.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2.7V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):32mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:100 AT-32033-TR2G 功能描述:RF Transistor NPN 5.5V 32mA 200mW Surface Mount SOT-23 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz 增益:11dB ~ 12.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):32mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 AT-32033-TR1G 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz 增益:11dB ~ 12.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):32mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 AT-32033-TR1 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz 增益:11dB ~ 12.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):32mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 AT-32033-BLKG 功能描述:RF Transistor NPN 5.5V 32mA 200mW Surface Mount SOT-23 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz 增益:11dB ~ 12.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):32mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:100 AT32AP7001-ALUT AT32AP7002-CTUR AT32AP7002-CTUT AT32AP7200-CFUR AT32AP7200-CFUT AT32AP7200-CTUR AT32AP7200-CTUT AT32L64A6SHC4M AT32L7238SQB3M AT32UC3A0128-ALUR AT32UC3A0128-ALUT AT32UC3A0128AU-ALUT AT32UC3A0128-CTUR AT32UC3A0128-CTUT AT32UC3A0256-ALUR AT32UC3A0256-ALUT AT32UC3A0256AU-ALUT AT32UC3A0256-CTUR
配单专家

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