AUIRF1404ZSTRR

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

AUIRF1404ZSTRR
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
790
IR
TO-263
1034+
-
原装现货/特价

AUIRF1404ZSTRRPBF
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3343
IR
TO-263
2230+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF1404ZSTRR 技术参数

AUIRF1404ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK（TO-263AB）标准包装:1 AUIRF1404ZS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF1404ZL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRF1404Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4340pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF1404STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 95A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7360pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P AUIRF2804WL AUIRF2805 AUIRF2805S AUIRF2807 AUIRF2903Z AUIRF2903ZL AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS