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AUIRF7478QTRPBF

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOP8

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • AUIRF7478QTRPBF
    AUIRF7478QTRPBF

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • SOP-8

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • AUIRF7478QTRPBF
    AUIRF7478QTRPBF

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IR

  • SOP-8

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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AUIRF7478QTRPBF 技术参数
  • AUIRF7478QTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 4.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7478Q 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 4.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7416QTR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 5.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.04V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7379QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A,4.3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7379Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A,4.3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7734M2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207
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