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AUIRF7738L2

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    AUIRF7738L2

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 3000

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  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • AUIRF7738L2TR
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 晶体管

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

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    资质:营业执照

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  • Infineon Technologies

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  • 19+

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • INTERNATI

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

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  • 原装正品

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AUIRF7738L2 技术参数
  • AUIRF7737L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Ta),156A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 94A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):134nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5469pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L6 供应商器件封装:DIRECTFET L6 标准包装:4,000 AUIRF7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta),108A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 65A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4267pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 43A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 M2 供应商器件封装:DIRECTFET? M2 标准包装:4,800 AUIRF7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.95 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRF7675M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta),18A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),45W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 11A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DIRECTFET? M2 封装/外壳:DirectFET? 等距 M2 标准包装:1 AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR
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