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AUIRF9952QPBF

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • SOP-8

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • AUIRF9952QPBF
    AUIRF9952QPBF

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 50

  • 不止10只I

  • SOP-8

  • 14+gbfree

  • -
  • 全新原装现货

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AUIRF9952QPBF 技术参数
  • AUIRF9952Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A,2.3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):190pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF9540N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1,000 AUIRF8739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 545A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Ta),545A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.6 毫欧 @ 195A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):17890pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF8736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 137A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Ta),137A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 85A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):204nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6867pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7805QTR 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z AUIRFP4004
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