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AUIRFR8403TRPBF

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

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    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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AUIRFR8403TRPBF 技术参数
  • AUIRFR6215TRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRFR6215 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR5505TRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 9.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRFR5505 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 9.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR5410TRL 功能描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):205 毫欧 @ 7.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 AUIRFS3006-7P AUIRFS3107 AUIRFS3107-7P AUIRFS3107TRL AUIRFS3206 AUIRFS3206TRL AUIRFS3207Z AUIRFS3306 AUIRFS3306TRL AUIRFS3307Z AUIRFS3607 AUIRFS3607TRL AUIRFS3806 AUIRFS3806TRL AUIRFS4010 AUIRFS4010-7P AUIRFS4115 AUIRFS4115-7P
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