AUIRS20302STR

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说明
操作

AUIRS20302STR
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
30000
Infineon
SOP
23+
-
原装正品可开增票

AUIRS20302STR
深圳市新龙顺电子有限公司
深圳市新龙顺电子有限公司
联系人：连若群
电话：15014137853
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区振华路100号中航北苑B-29B5
3000
IR
20+
-
原厂原装，代理渠道，可开增值票

AUIRS20302STR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
标准封装
16+
-
假一罚十

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1

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功能描述
功率驱动器IC 3-Phs Gate Drvr BLDC Mtr Drive up to 600W
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

AUIRS20302STR 技术参数

AUIRS20302S 功能描述:功率驱动器IC 3-Phs Gate Drvr BLDC Mtr Drive up to 600W RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS20162STR 功能描述:IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:带卷（TR）零件状态:有效驱动配置:高压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA，250mA 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:150V 上升/下降时间（典型值）:200ns，200ns 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:2,500 AUIRS20161S 功能描述:功率驱动器IC 150V High Side DRVR 4.4V to 20V .25A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2012STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.7V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:22ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AUIRS2004S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2124STR AUIRS21271S AUIRS21271STR AUIRS2127S AUIRS2127STR AUIRS21281S AUIRS2128S AUIRS21811S AUIRS21811STR AUIRS21814S AUIRS21814STR AUIRS2181S AUIRS2181STR AUIRS21844S